最近，蘋果公司新發(fā)布了一項名為“具有高動態(tài)范圍和低噪點的堆疊像素圖像傳感器”的專利。這項發(fā)現(xiàn)可能預(yù)示著一項可能重塑移動和專業(yè)成像領(lǐng)域的突破。蘋果公司聲稱其堆疊式傳感器架構(gòu)擁有高達(dá)20檔的動態(tài)范圍，或許正蓄勢待發(fā)，準(zhǔn)備與電影攝影機(jī)技術(shù)領(lǐng)域的巨頭們競爭，甚至超越他們。

一、性能超越最佳的傳感器

蘋果新發(fā)布的一項名為“高動態(tài)范圍低噪點堆疊像素圖像傳感器”的專利，揭示了成像技術(shù)的重大進(jìn)步。雖然蘋果以其定制芯片和相機(jī)軟件而聞名，但這項專利暗示著一項更具雄心的目標(biāo)：一種完全自主設(shè)計的圖像傳感器，其動態(tài)范圍有望與領(lǐng)先的電影攝影機(jī)相媲美，甚至超越它們。而且，這并非僅僅是理論上的——該傳感器架構(gòu)聲稱其動態(tài)范圍高達(dá)120 dB，相當(dāng)于近20檔的動態(tài)范圍。這比目前業(yè)界的巨頭，例如ARRI ALEXA 35，都要高得多。

按照蘋果在專利描述文件中所說：

本文描述的本發(fā)明實施例提供了一種包含新穎設(shè)計的3T像素的圖像傳感器，該傳感器可實現(xiàn)高動態(tài)范圍、低噪聲，并且不會出現(xiàn)傳統(tǒng)4T像素陣列中可能出現(xiàn)的偽影。該圖像傳感器包含一個堆疊在邏輯芯片上的傳感器芯片。每個3T像素在傳感器芯片上包含一個傳感電路，該電路包括一個光電二極管和一個橫向溢流積分電容(LOFIC:lateral overflow integration capacitor)電路，以便在從室內(nèi)到明亮陽光的各種光照條件下進(jìn)行傳感，而無需自動曝光控制。

此外，每個像素在邏輯芯片上包含一個像素電路，該電路包含一個電流存儲電路。該電流存儲電路用于感測探測器元件中的噪聲水平。電流存儲電路輸出的信號能夠利用CDS抑制熱噪聲(kTC)。

二、蘋果的專利內(nèi)容是什么？

該專利概述了一種由兩層組成的堆疊傳感器：傳感器芯片（帶有光電二極管和模擬電路）和邏輯芯片（處理讀出、噪聲消除和控制）。

這種堆疊式方法與索尼的做法類似，使蘋果能夠?qū)⑾冗M(jìn)的電路封裝到更薄的傳感器模塊中，非常適合智能手機(jī)和Vision Pro等AR/VR設(shè)備。但真正的創(chuàng)新在于像素級架構(gòu)，其特點如下：

1. LOFIC（橫向溢流積分電容器）

這種機(jī)制使傳感器能夠處理三個電荷存儲層級的光溢出，自動適應(yīng)極端亮度或黑暗環(huán)境——一次性完成。這便是20檔動態(tài)范圍得以實現(xiàn)的原因。

2. 內(nèi)置噪聲感應(yīng)電路

每個像素內(nèi)的電流存儲電路可實時檢測并消除熱噪聲，這意味著即使在低光照條件下，最終圖像也更加清晰-無需后期處理或AI技巧。

3. 3T像素設(shè)計（非4T）

令人驚訝的是，蘋果采用了3晶體管設(shè)計，這種設(shè)計通常被認(rèn)為更簡單，但噪音也更大。然而，得益于上述創(chuàng)新，該設(shè)計比標(biāo)準(zhǔn)的4T傳感器噪音更低，從而以更少的組件和更高的效率提供更佳的性能。

按照蘋果所說：

本例中的LOFIC電路44包括兩個電荷存儲電容器50和52以及兩個串聯(lián)連接到浮動擴(kuò)散節(jié)點42的LOFIC晶體管（LOFIC1和LOFIC2）54和56。第一個LOFIC晶體管（LOFIC1）54將浮動擴(kuò)散節(jié)點連接到第一個電荷存儲電容器50的電荷輸入端，該電容器的電容較小，例如約為20 fF。第二個LOFIC晶體管56將第一個電荷存儲電容器50的電荷輸入端連接到第二個電荷存儲電容器52的電荷輸入端，該電容器的電容較大，例如約為500 fF。

在此配置中，浮動擴(kuò)散節(jié)點42本身將用于在弱光條件下存儲和讀出光電荷；電荷存儲電容器50將用于在中等光照條件下存儲和讀出光電荷；電荷存儲電容器52將用于在強(qiáng)光條件下存儲和讀出光電荷。這種LOFIC結(jié)構(gòu)使探測器元件26能夠感測約120 dB動態(tài)范圍內(nèi)的光。或者，也可以使用其他LOFIC結(jié)構(gòu)，并采用更少或更多數(shù)量的電容器和晶體管。

三、這個產(chǎn)品意味著什么?

如果這項技術(shù)得以實施（或許在未來的iPhone 17 Pro或Apple Vision Pro 2中），它可能會導(dǎo)致：

移動設(shè)備上的電影級HDR；

實時無噪音視頻捕捉；

超薄外形，專業(yè)品質(zhì)成像，具有極高的DR（20檔動態(tài)范圍）。

蘋果可能正準(zhǔn)備擺脫對索尼高端相機(jī)傳感器的依賴，以競爭對手而非客戶的身份進(jìn)入圖像傳感器市場。這也表明，蘋果在計算攝影領(lǐng)域的下一次飛躍可能植根于以圖像傳感器為先的創(chuàng)新，而非軟件或人工智能。

動態(tài)范圍和噪點是數(shù)字成像的兩個主要制約因素。一款能夠提供20檔動態(tài)范圍和先進(jìn)片上噪點抑制功能的移動式或緊湊型傳感器，不僅是一種改進(jìn)，更是顛覆性的。

這可能會影響：

移動電影攝影；

HDR流媒體內(nèi)容；

AR/VR視覺保真度；

即使是專業(yè)的電影制作套件，緊湊性和質(zhì)量也必須共存。

由于這是蘋果公司的產(chǎn)品，因此不難想象該公司會將該傳感器與神經(jīng)引擎處理深度集成，使其在極端條件下更加強(qiáng)大。

在我們看來，這項專利目前可能不太引人注目，但其影響深遠(yuǎn)。蘋果不僅僅是在改進(jìn)相機(jī)軟件，而是從芯片層面重新定義圖像傳感器。如果這項技術(shù)投入生產(chǎn)，我們可能會看到數(shù)字成像領(lǐng)域的全新黃金標(biāo)準(zhǔn)——不僅在智能手機(jī)領(lǐng)域，也在電影領(lǐng)域。

四、具有高動態(tài)范圍和低噪聲的堆疊像素圖像傳感器

目前使用的絕大多數(shù)圖像傳感器都是CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）有源像素傳感器（APS）單片陣列，具有4T像素。在這些器件中，每個探測器元件（稱為“像素”）包含一個光電二極管、一個浮動擴(kuò)散區(qū)和四個CMOS晶體管，其中包括一個傳輸門、一個復(fù)位門、一個選擇門和一個源極跟隨器讀出晶體管。傳輸門控制從光電二極管到浮動擴(kuò)散區(qū)的電荷轉(zhuǎn)移，并通過相關(guān)雙采樣（CDS）實現(xiàn)降噪。使用3T像素（沒有傳輸門）的圖像傳感器更容易制造，也更不容易出現(xiàn)偽影，但通常噪聲較高。

概括：

下文描述的本發(fā)明實施例提供了改進(jìn)的圖像傳感器以及用于生產(chǎn)和控制此類圖像傳感器的方法。

因此，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供了一種圖像傳感器，該圖像傳感器包括一個邏輯芯片，該邏輯芯片包含列讀出電路和連接到列讀出電路的位線，以及一個覆蓋在邏輯芯片上的傳感器芯片。該圖像傳感器包括一個探測器元件陣列，每個探測器元件包括一個設(shè)置在傳感器芯片上的傳感電路和一個設(shè)置在邏輯芯片上的像素電路。

該傳感電路包括一個具有陰極和陽極端子的光電二極管、一個連接到光電二極管其中一個端子的浮動擴(kuò)散節(jié)點、一個耦合在浮動擴(kuò)散節(jié)點和復(fù)位電壓之間的復(fù)位晶體管，以及一個具有連接到浮動擴(kuò)散節(jié)點的輸入和輸出的源極跟隨器晶體管。

像素電路包括一個選擇晶體管，該選擇晶體管具有耦合到源極跟隨器的輸出的輸入和耦合到其中一條位線的輸出，以及一個電流存儲器電路，該電流存儲器電路耦合到選擇晶體管的輸入，并配置為感測和輸出指示檢測器元件中的噪聲水平的信號。

在一些實施例中，每個感測電路包括一個橫向溢流積分電容(LOFIC)電路，該電路包括一個或多個電荷存儲電容以及耦合在浮動擴(kuò)散節(jié)點和電荷存儲電容之間的一個或多個LOFIC晶體管，其中，復(fù)位晶體管耦合在LOFIC電路和復(fù)位電壓之間。

在一個公開的實施例中，該LOFIC電路包括：具有第一電容的第一電荷存儲電容；具有大于第一電容的第二電容的第二電荷存儲電容；連接在浮動擴(kuò)散節(jié)點和第一電荷存儲電容的第一電荷輸入端之間的第一LOFIC晶體管；以及連接在第一電荷存儲電容的第一電荷輸入端和第二電荷存儲電容的第二電荷輸入端之間的第二LOFIC晶體管。

在一個實施例中，復(fù)位晶體管連接在第二電荷存儲電容的第二電荷輸入端和復(fù)位電壓之間。此外或可選地，在將檢測器元件讀出到位線期間，第一和第二LOFIC晶體管依次導(dǎo)通，同時選擇晶體管導(dǎo)通。

在一些實施例中，在每個圖像幀期間，復(fù)位晶體管在第一復(fù)位周期內(nèi)導(dǎo)通，以在幀的曝光周期之前復(fù)位浮動擴(kuò)散節(jié)點；選擇晶體管在曝光周期之后的第一讀出周期內(nèi)導(dǎo)通，以從浮動擴(kuò)散節(jié)點讀出光電荷。然后，復(fù)位晶體管在第一選擇周期之后的第二復(fù)位周期內(nèi)導(dǎo)通，以復(fù)位浮動擴(kuò)散節(jié)點；選擇晶體管在第二復(fù)位周期之后的第二讀出周期內(nèi)導(dǎo)通，以讀出探測器元件累積的噪聲。

在一些實施例中，電流存儲電路包括至少一個采樣電容器和至少一個采樣晶體管，它們耦合在選擇晶體管的輸入端和至少一個采樣電容器之間，其中，至少一個采樣晶體管在第一和第二復(fù)位周期內(nèi)跟隨復(fù)位晶體管導(dǎo)通，使得至少一個采樣電容器對探測器元件中的kTC噪聲進(jìn)行采樣。

在公開的實施例中，電流存儲電路包括：連接在選擇晶體管的輸入端和至少一個采樣晶體管之間的讀取晶體管；以及與讀取晶體管并聯(lián)的、極性與讀取晶體管相反的偏置晶體管。其中，讀取晶體管和偏置晶體管在第一和第二讀出周期導(dǎo)通，在曝光周期截止。在一個實施例中，偏置晶體管在第一和第二復(fù)位周期導(dǎo)通。

另外或可替代地，至少一個采樣電容器包括第一和第二采樣電容器，并且至少一個采樣晶體管包括第一和第二采樣晶體管，它們串聯(lián)耦合在第一和第二采樣電容器與選擇晶體管的輸入端之間。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，還提供了一種圖像感測方法，該方法包括：提供一個邏輯芯片，該邏輯芯片包括列讀出電路和連接到列讀出電路的位線；以及在邏輯芯片上覆蓋一個傳感器芯片。在傳感器芯片和邏輯芯片上形成一個探測器元件陣列，每個探測器元件包括一個形成在傳感器芯片上的感測電路和一個形成在邏輯芯片上的像素電路。

每個感測電路包括一個具有陰極和陽極端子的光電二極管、一個連接到光電二極管其中一個端子的浮動擴(kuò)散節(jié)點、一個耦合在浮動擴(kuò)散節(jié)點和復(fù)位電壓之間的復(fù)位晶體管，以及一個具有連接到浮動擴(kuò)散節(jié)點的輸入和輸出的源極跟隨器晶體管。

每個像素電路包括一個選擇晶體管，該選擇晶體管具有耦合到源極跟隨器的輸出的輸入和耦合到其中一條位線的輸出，以及一個電流存儲器電路，該電流存儲器電路耦合到選擇晶體管的輸入并配置為感測和輸出指示檢測器元件中的噪聲水平的信號。

通過以下結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例的詳細(xì)描述，將更全面地理解本發(fā)明：

實施例詳細(xì)說明

本文描述的本發(fā)明實施例提供了一種包含新穎設(shè)計的3T像素的圖像傳感器，該傳感器可實現(xiàn)高動態(tài)范圍、低噪聲，并且不會出現(xiàn)傳統(tǒng)4T像素陣列中可能出現(xiàn)的偽影。該圖像傳感器包含一個堆疊在邏輯芯片上的傳感器芯片。

每個3T像素在傳感器芯片上包含一個傳感電路，該電路包括一個光電二極管和一個橫向溢流積分電容(LOFIC)電路，以便在從室內(nèi)到明亮陽光的各種光照條件下進(jìn)行傳感，而無需自動曝光控制。此外，每個像素在邏輯芯片上包含一個像素電路，該像素電路包含一個電流存儲電路。該電流存儲電路用于感測探測器元件中的噪聲水平。電流存儲電路輸出的信號能夠利用CDS抑制熱噪聲(kTC)。

雖然邏輯芯片上的電流存儲電路與LOFIC電路配合使用特別有用，但在其他實施例中，即使沒有LOFIC電路，邏輯芯片上的組件也可用于降低其他圖像傳感器像素中的噪聲。

圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖像傳感器的示意側(cè)視圖；

圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖像傳感器20的示意側(cè)視圖。圖像傳感器20包括由一個硅晶片制成的邏輯芯片24，以及由另一個硅片制成的傳感器芯片22，該芯片覆蓋在邏輯芯片24上。圖像傳感器20包含一個探測器元件陣列26（也稱為像素），每個探測器元件包括位于傳感器芯片22上的傳感電路28和位于邏輯芯片24上的像素電路30。像素電路30通過位線連接到列讀出電路（如圖2所示）。圖像傳感器20的堆疊硅片配置使得在邏輯芯片24中使用標(biāo)準(zhǔn)CMOS控制和讀出電路成為可能，而傳感電路28可以通過不同的工藝制造。或者，傳感器芯片22可以包含除硅之外的其他半導(dǎo)體材料。

圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖像傳感器中探測器元件細(xì)節(jié)的示意電路圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的探測器元件26之一的示意電路圖。圖2中所示的傳感電路28包含N溝道MOSFET晶體管和N-on-P光電二極管38。或者，傳感電路28也可以包含P溝道晶體管和P-on-N光電二極管。傳感電路28的組件連接到電源電壓48，例如1.5 V、1.2 V或1.0 V。在本設(shè)計中，無需將電壓升壓至高于電源電壓或低于地電位。

傳感電路28包含一個浮動擴(kuò)散節(jié)點(FD：floating diffusion)42，該節(jié)點連接到光電二極管38的一個端子（在本例中連接到陰極，陽極連接到地40）。橫向溢流積分電容(LO-FIC)電路44耦合至浮動擴(kuò)散節(jié)點42，復(fù)位晶體管(RST1)46耦合于LOFIC電路和復(fù)位電壓（在圖示示例中，該復(fù)位電壓為電源電壓48）之間。

本示例中的LOFIC電路44包括兩個電荷存儲電容器50和52，以及兩個串聯(lián)耦合至浮動擴(kuò)散節(jié)點42的LOFIC晶體管(LOFIC1和LOFIC2)54和56。第一個LOFIC晶體管(LOFIC1)54將浮動擴(kuò)散節(jié)點連接到第一個電荷存儲電容器50的電荷輸入端，該電容器具有較小的電容，例如約為20 fF。

第二個LOFIC晶體管56將第一個電荷存儲電容器50的電荷輸入端連接到第二個電荷存儲電容器52的電荷輸入端，該電容器具有較大的電容，例如約為500 fF。在該配置中，浮動擴(kuò)散節(jié)點42本身將用于在弱光條件下存儲和讀出光電荷；電荷存儲電容器50將用于在中等光照條件下存儲和讀出光電荷；電荷存儲電容器52將用于在強(qiáng)光條件下存儲和讀出光電荷。該LOFIC配置使探測器元件26能夠感測約120 dB動態(tài)范圍內(nèi)的光。或者，也可以使用其他LOFIC配置，其中電容器和晶體管的數(shù)量可以更少或更多。

源極跟隨器晶體管(SF：source follower transistor)58的柵極連接用于接收來自浮動擴(kuò)散節(jié)點42的電荷輸入，其漏極連接到輸出端子32，該輸出端子與像素電路30的輸入端子34連接。輸入端子34連接到選擇晶體管(SEL)60。當(dāng)選擇晶體管導(dǎo)通時，它會將來自探測器元件26的信號輸出到位線62，該位線為探測器元件陣列的提供服務(wù)。

如上所述，該位線將傳感器芯片22中的探測器元件連接到邏輯芯片24中的列讀出電路64。在從探測器元件26讀出數(shù)據(jù)期間，連接到輸入端子34的偏置晶體管(V3 Bias)66處于關(guān)閉狀態(tài)，通常消耗約1 uA的電流。

為了實現(xiàn)噪聲感測和消除，像素電路30包含一個電流存儲電路68，該電路包含一個N溝道讀取晶體管(RD：read transistor)70和一個P溝道偏置晶體管(V1 Bias)72并聯(lián)。本例中的讀取晶體管和偏置晶體管極性相反。因此，在圖示的示例中，讀取晶體管70（以及像素電路30的其他組件）是N溝道器件，而V1 Bias晶體管72是P溝道器件。第二個偏置晶體管(V2 Bias)74與P溝道偏置晶體管串聯(lián)，當(dāng)兩個偏置晶體管導(dǎo)通時，會吸收偏置電流，例如約100 nA。

采樣線36連接到讀取晶體管70和V1偏置晶體管72的漏極以及V2偏置晶體管74的源極。從檢測器元件26流出的電流由一對采樣電容器76、78采樣，這對采樣電容器連接在采樣線36和地40之間。這些采樣電容器76、78可以具有低電容，例如每個約為4 fF，并且兩個采樣電容器之間存在大約0.1 fF的附加寄生耦合80。

為了在感測電路復(fù)位期間對流經(jīng)感測電路28的電流進(jìn)行采樣，一對采樣晶體管（SMP1和SMP2）82、84會短暫地同時導(dǎo)通。然后，晶體管82（SMP1）關(guān)閉，接著晶體管84（SMP2）也關(guān)閉。晶體管82對探測器元件26的kTC噪聲進(jìn)行采樣，而晶體管84對晶體管82關(guān)閉后的殘余誤差進(jìn)行采樣。因此，kTC噪聲被采樣，并通過流入和流出采樣電容器78的電流進(jìn)行補(bǔ)償。

在從探測器元件26讀出期間，采樣的電流信號由選擇晶體管60讀出到位線62。或者，電流存儲電路68可以僅包含一個采樣電容器，也可以包含更多數(shù)量的采樣電容器，并相應(yīng)地布置一個或多個采樣晶體管。

圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的時序圖，示意性地示出了施加到圖2中探測器元件晶體管的信號

圖3為時序圖，示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的在單個圖像幀88過程中施加到探測器元件26的晶體管46、54、56、66、70、72、74、82和84的信號。為了簡化說明，施加到晶體管72的V1偏置信號顯示為與其他信號具有相同的極性；但實際上，由于V1偏置晶體管72是P溝道器件，因此V1偏置信號的極性將與其他信號的極性相反。施加到晶體管66的V3偏置信號與V2偏置信號相同，因此為了簡單起見，此處省略。

每個圖像幀88包括曝光期90，例如在1-10毫秒的范圍內(nèi)，在此期間，來自光電二極管的光電荷在浮動擴(kuò)散節(jié)點42處收集，并且可能在LOFIC電荷存儲電容器50、52中的一個或兩個上收集，具體取決于入射光的強(qiáng)度。在曝光期90之前的預(yù)曝光復(fù)位期92中，復(fù)位晶體管(RST1)46導(dǎo)通，以復(fù)位浮動擴(kuò)散節(jié)點42。LOFIC晶體管54、56也與RST1一起導(dǎo)通，以復(fù)位LOFIC電荷存儲電容器50、52。

此外，在曝光期之前的復(fù)位期內(nèi)，像素電路30中的偏置晶體管72、74、66（V1 Bias、V2 Bias和V3 Bias）均導(dǎo)通，采樣晶體管82、84（SMP1和SMP2）在RST1復(fù)位脈沖之后導(dǎo)通，然后依次關(guān)閉。

在曝光周期90之后，選擇晶體管60和讀取晶體管70（SEL和RD）在讀出周期94期間導(dǎo)通，同時三個偏置晶體管72、74和66（V1 Bias、V2 Bias和V3 Bias）也導(dǎo)通，以將光電荷從浮動擴(kuò)散節(jié)點42讀出到位線62。讀出周期94包括高增益間隔96、中增益間隔98和低增益間隔100。當(dāng)選擇晶體管60導(dǎo)通時，浮動擴(kuò)散節(jié)點42上的電荷首先在高增益間隔96期間被讀出。然后，LOFIC晶體管54和56依次在中增益間隔98和低增益間隔100期間導(dǎo)通，以將存儲在LOFIC電荷存儲電容器50和52中的光電荷讀出到位線62。

所有光電荷讀出后，復(fù)位晶體管在曝光后復(fù)位周期102中，(RST1)46與兩個LOFIC晶體管54、56再次導(dǎo)通，以復(fù)位浮動擴(kuò)散節(jié)點42和LOFIC電荷存儲電容器54、56。像素電路30中的偏置晶體管72、74、66（V1 Bias、V2 Bias和V3 Bias）再次全部導(dǎo)通，采樣晶體管82、84（SMP1和SMP2）在RST1復(fù)位脈沖后導(dǎo)通，然后依次關(guān)斷，就像在復(fù)位周期92期間一樣。

在這些復(fù)位之后，選擇晶體管60和讀取晶體管70在噪聲讀出周期104期間再次導(dǎo)通，以讀出探測器元件26積累的噪聲。噪聲讀出周期104包括高增益間隔106、隨后的中增益間隔108和低增益間隔110。當(dāng)選擇晶體管60和讀取晶體管70導(dǎo)通時，浮動擴(kuò)散節(jié)點42上的電荷首先在高增益間隔106期間被讀出。然后，LOFIC晶體管54和56依次在中增益間隔108和低增益間隔110期間導(dǎo)通，以將LOFIC電荷存儲電容器52和54中剩余的電荷讀出到位線62。

在噪聲讀出周期104期間，偏置晶體管72、74和66保持導(dǎo)通。電流存儲電路68感測并輸出指示探測器元件26中噪聲水平的信號。邏輯芯片24中的CDS電路（未示出）從曝光周期后讀出的光信號中減去在此第二讀出周期讀出的噪聲信號，從而降低圖像傳感器20輸出信號中的噪聲影響。

應(yīng)當(dāng)理解，上述實施例僅作為示例引用，本發(fā)明不限于上述具體顯示和描述的內(nèi)容。相反，本發(fā)明的范圍包括上述各種特征的組合和子組合，以及本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀前述說明后能夠想到的、且在現(xiàn)有技術(shù)中未公開的變體和修改。